二维氧硒化铋的高保真转移及其力学性质
材料科学
2020-08-25 v1
摘要
具有高电子迁移率的二维（2D）氧硒化铋（Bi2O2Se）在未来高性能柔性电子和光电子器件中具有优势。然而，薄层Bi2O2Se的转移相当具有挑战性，限制了其力学性质的测量及在柔性器件中的应用探索。在此，我们开发了一种可靠且有效的聚二甲基硅氧烷（PDMS）介导方法，可将薄层Bi2O2Se从生长衬底转移到微机电系统衬底等目标衬底上。转移薄层的高保真性源于PDMS膜的高粘附能和柔韧性。首次通过纳米压痕法实验获得了二维Bi2O2Se的力学性质。我们发现少层Bi2O2Se在二维半导体中具有18-23 GPa的较大本征刚度，以及88.7 ± 14.4 GPa的杨氏模量，与理论值一致。此外，少层Bi2O2Se可承受超过3%的高径向应变，展现出优异的柔性。该可靠转移方法的开发及二维Bi2O2Se力学性质的记录共同填补了这一新兴材料力学性质理论预测与实验验证之间的空白，并将推动基于二维Bi2O2Se的柔性电子与光电子学的发展。
引用
@article{arxiv.2008.10007,
title = {High-Fidelity Transfer of 2D Bismuth Oxyselenide and its Mechanical Properties},
author = {Wenjun Chen and Usman Khan and Simin Feng and Baofu Ding and Xiaomin Xu and Bilu Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.10007},
year = {2020}
}
备注
23 pages, 4 figures