使用300 mm硅絕緣絨軟體量子點中的高保真量子比特控制

我们演示了在利用电子自旋共振在天然Si-MOS量子点上实现的高保真单量子比特控制。该量子点采用在300 mm硅絕緣絨軟體晶圖工藝制造，实现了相对较高的优化Rabi频率为 5 MHz，动态地将电子自旋从其29-Si环境中解耦。跟踪量子比特频率可降低其在量子比特频率中低频噪声的影响，并在Rabi频率为5 MHz时，将 $T^{Rabi}$ 从7提高到11$\mu$s，导致量子因子超过50。随机基准测试返回的平均单门控信度为 $99.5 \pm 0.3\%$。由于脉冲面积校准，这种信度受Rabi因子的限制。这些结果表明，快速的Rabi频率、低电荷噪声以及反馈协议使我们在这些Si-MOS器件中实现了高信度，尽管存在低频磁噪声。