暗能量参数化情形中扰动的生长

本文中，我们通过考虑暗能量扰动的可能性，研究线性 regime 下暗物质扰动的演化。为此，考虑了两种流行的参数化模型CPL和BA，它们具有相同的自由参数个数但红移依赖性不同。我们积分完整的相对论方程，以获得CPL和BA暗能量在成团与平滑两种版本下物质涨落的生长。在平滑情形中，当$w<-1$（$w>-1$）时生长率大于（小于）$\Lambda$CDM，但暗能量成团在$w>-1$（$w<-1$）时给出更大（更小）的生长指数。我们度量了相对于一致$\Lambda$CDM的生长率相对差异，并研究其如何随自由参数变化。此外，发现平滑CPL与BA间的生长率差异可忽略，小于$0.5\%$，而在成团情形中差异可观，可能高达2$\%$。最终，利用最新的几何与生长率观测数据，我们进行了整体似然分析，表明CPL和BA参数化的平滑与成团情形均与观测一致。特别地，我们发现暗能量FoM对于BA约为70，对于CPL约为30，表明BA模型的约束相对优于CPL模型。