用于超高品因子的封装 Si/SiO₂ L3 腔的全局优化
光学
2019-11-12 v2
摘要
我们通过全局优化策略优化二氧化硅封装的硅 L3 光子晶体腔以实现超高品因子，其中改变腔周围最近的孔以最小化面外损耗。我们找到了 Q_c=4.33×10^7 的最优值，从而为封装的低折射率对比光子晶体腔确立了新纪录。我们还探讨了结构缺陷对最优腔设计的影响，并基于最先进的硅加工公差预测平均 Q_c 处于两百万量级。
引用
@article{arxiv.1911.03361,
title = {Global optimization of an encapsulated Si/SiO$_2$ L3 cavity for ultra-high quality factor},
author = {J. P. Vasco and V. Savona},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.03361},
year = {2019}
}
备注
some labeling mistakes were fixed in this version