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双层石墨烯中的巨内禀自旋-轨道耦合

介观与纳米尺度物理 2015-03-14 v1

摘要

本文研究了双层石墨烯中的内禀自旋-轨道耦合(ISOC)。我们发现,π\pi 电子之间最大的 ISOC 源于以下跃迁过程:一个 π\pi 电子跃迁到另一层的 σ\sigma 轨道,并通过原子内 ISOC 进一步跃迁到具有相反自旋的 π\pi 轨道。该 ISOC 的量级约为 0.46meV0.46meV,比单层石墨烯大 100 倍。我们推导了动量空间和实空间中包含该 ISOC 的哈密顿量。由于该 ISOC,狄拉克点附近的低能态表现出特殊的自旋极化,其中电子自旋在上下层中呈相反极化。该自旋极化态是鲁棒的,受时间反演对称性保护。此外,我们提供了一个混合系统,可通过电学操控来选择特定的自旋极化态。

关键词

引用

@article{arxiv.1004.0881,
  title  = {Giant Intrinsic Spin-Orbit Coupling in Bilayer Graphene},
  author = {Hai-Wen Liu and X. C. Xie and Qing-feng Sun},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1004.0881},
  year   = {2015}
}

备注

4 pages, 2 figures.