基于高斯型基组的耦合簇理论用于固体基态和能带结构
材料科学
2017-01-19 v1 化学物理
摘要
我们展示了基于高斯型基组的基态和激发态运动方程耦合簇理论（单双激发）在三维固体中的计算结果。我们重点研究金刚石和硅，它们是典型的共价半导体。除了基态性质（晶格常数、体积模量和内聚能）外，我们还计算了准粒子能带结构和带隙。我们使用保范赝势和极化双zeta及三zeta基组，以多达64个k点采样布里渊区，从而进行了包含多达256个电子在2,176个轨道中的规范耦合簇计算。
引用
@article{arxiv.1701.04832,
title = {Gaussian-based coupled-cluster theory for the ground state and band structure of solids},
author = {James McClain and Qiming Sun and Garnet Kin-Lic Chan and Timothy C. Berkelbach},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.04832},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 6 figures