基于周期 EOM-CCSD 的固体核心结合能
化学物理
2025-08-04 v1 材料科学
摘要
我们报告了使用基于周期的单双激发耦合簇理论 (EOM-CCSD) 计算的 K 边和 L 边过渡在简单半导体和绝缘体中的核心结合能。在全电计算中，我们采用带有核心关联的三重价值基组，并使用最多 4x4x4 k 点对布里渊区进行采样。通过复合修正和对热力学极限的外推，我们得到的最终数值与实验值相比误差约为 2 eV。CCSD 的此类精度与分子计算的精度相当。一种低规模的 EOM-CCSD 近似方法计算成本更低，但精度略差，误差约为 3 eV。
引用
@article{arxiv.2508.00168,
title = {Core binding energies of solids with periodic EOM-CCSD},
author = {Ethan A. Vo and Timothy C. Berkelbach},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.00168},
year = {2025}
}
备注
5 pages, 4 figures