库仑排斥抑制双层石墨烯中的门控能隙

基于离子型双层Hubbard模型，我们采用顺磁态下的相干势近似，研究了在位库仑排斥$U$对电场门控双层石墨烯能带隙的影响。我们发现，尽管单独的在位库仑排斥$U$或外部垂直电场$E$均有利于双层石墨烯中的带隙态，但二者之间的竞争却出乎意料地导致能隙幅度的抑制。我们的结果可用于理解光学和输运测量所报道的能隙尺寸差异，以及角分辨光电子能谱研究中观察到的令人困惑的特征。