拓扑绝缘体中栅电极诱导的非互易电阻

控制拓扑绝缘体中化学势的一种常用方法是施加栅电极。同时施加高源漏偏置电流会导致此类器件中的寄生效应。我们推导得出，这些寄生效应会导致沿霍尔条电流引线的霍尔效应产生梯度。因此，在反转偏置时，纵向电压和霍尔电压中均会出现非互易效应。这些效应的标度行为与磁手性各向异性相似，需要进行详细分析才能加以区分。实验上我们表明，在磁手性各向异性不被预期存在但存在顶栅的材料中，可以出现非互易效应。在没有栅电极的情况下，发现该非互易效应不存在。这些结果表明，在寻找材料本征的非互易电阻时，考虑并尽可能排除栅电极诱导效应的重要性。