拓扑半金属 GeTe 中室温下栅极依赖的非线性霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2023-07-12 v1
摘要
我们通过实验研究了拓扑半金属 GeTe 中作为对交流电流的零频二次谐波横向电压响应的非线性霍尔效应。将一块厚单晶 GeTe 薄片置于 Si/SiO 衬底上，其中 p 掺杂 Si 层用作栅电极。我们确认，由于体载流子的栅电场屏蔽，厚 GeTe 薄片中的电子浓度对栅极不敏感。相反，通过横向电压测量，我们证明了非线性霍尔效应在室温下对栅电场表现出显著依赖。由于非线性霍尔效应是拓扑介质中贝里曲率偶极子的直接后果，我们的观察表明贝里曲率可由栅电场调控。这一实验观察可理解为 GeTe 中已知的巨 Rashba 分裂对外电场的依赖性的结果。对于可能的应用，零频栅控非线性霍尔效应可用于高效的宽带整流。
引用
@article{arxiv.2303.17421,
title = {Gate-dependent non-linear Hall effect at room temperature in topological semimetal GeTe},
author = {N. N. Orlova and A. V. Timonina and N. N. Kolesnikov and E. V. Deviatov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.17421},
year = {2023}
}