拓扑 Dirac 半导体 NiTe₂ 中第三阶非线性霍尔效应的实验表征
介观与纳米尺度物理
2025-06-27 v1
摘要
我们实验研究了三维 NiTe₂ 单晶样品的第三阶非线性霍尔效应。NiTe₂ 是最近发现的类型 II Dirac 半导体，其 Bulk 区域保有反演对称性和时间反演对称性。因此，该材料不预期出现经典的第二阶非线性霍尔效应，我们通过实验确认其第二谐波横向霍尔电压响应对纵向交交流电流的响应几乎可以忽略。作为主要实验结果，我们展示了 NiTe₂ 中第三谐波霍尔响应的非饱和现象，这与理论预测的 Dirac 半导体中第三阶非线性霍尔效应相吻合。我们还展示了第三谐波信号不受外部磁场的影响，与一阶和二阶霍尔效应的场依赖性不同。
引用
@article{arxiv.2502.08223,
title = {Demonstration of the third-order nonlinear Hall effect in topological Dirac semimetal NiTe$_2$},
author = {V. D. Esin and A. V. Timonina and N. N. Kolesnikov and E. V. Deviatov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.08223},
year = {2025}
}
备注
5 pages, 3 Postscript figures