可调节点 Dirac 半导体中的非线性希尔响应
介观与纳米尺度物理
2025-11-26 v1
摘要
我们研究可调二维 Dirac 材料中的非线性希尔响应。具体而言，研究时间反演对称的 Dirac 半导体中量子几何驱动的二阶和三阶非线性响应，该系统可根据模型参数 hosting 单节点、双节点和线节点。我们发现，二阶希尔响应（SOHE）源于 Berry 曲率偶极子，在破坏反演对称性时，单节点半导体相比双节点情形具有更强的 SOHE；而在保持反演对称性的 nodal line 半导体中，SOHE 消失。值得注意的是，当费米能级位于能带边缘附近时，由于 Berry 连接极化导致的三阶希尔响应在线节点 Dirac 半导体中显著增大，尤其优于单节点和双节点 Dirac 半导体。这种迥异行为归因于 Brillouin 区中 Berry 连接极化分布的差异。
引用
@article{arxiv.2511.20214,
title = {Nonlinear Hall responses in tunable nodal Dirac semimetals},
author = {Akash Dey},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.20214},
year = {2025}
}