Al/马来酸酐(MA)/p-Si 结构的频率依赖介电特性
材料科学
2016-04-27 v1
摘要
通过旋涂在 p-Si 半导体晶圆上制备了 Al/马来酸酐(MA)/p-Si 有机肖特基器件。研究了 Al/MA/p-Si 的频率和电压依赖介电常数。利用光谱技术在室温下宽频率范围和施加偏置电压下详细研究了接触结构的介电特性和电导率。发现介电常数、介电损耗、介电损耗角正切、电模量的实部和虚部以及交流导电率的数值对频率和施加偏置电压相当敏感，尤其在耗尽区和积累区。实验结果表明，对于每个电压，介电常数随频率增加急剧下降。介电损耗作为电压的函数出现跳跃，且介电损耗随电压降低和频率升高而减小。观察到交流导电率随频率弱增加。电模量的实部随频率增加而增加。此外，电模量的虚部出现峰值，且峰值位置随施加电压增加向更高频率移动。可得出结论：界面极化在低频下更易发生，且金属-半导体界面处大多数界面态导致了 Al/MA/p-Si 结构介电特性的偏离。
引用
@article{arxiv.1604.07789,
title = {Frequency dependent dielectric properties of Al/ maleic anhydride (MA) /p-Si structures},
author = {S. Bilge Ocak and A. B. Selçuk and S. B. Bayram and A. Ozbay},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.07789},
year = {2016}
}