分数量子反常霍尔绝缘体边界与层分辨晶格接触
强关联电子
2019-02-20 v2
摘要
在受周期势作用的分数量子霍尔系统中实现的分数量子反常霍尔绝缘体（FCI）是一类空间群对称性起重要作用的拓扑物质相。特别地，FCI 中的晶格位错可承载改变拓扑的非阿贝尔拓扑缺陷，即 genon。Genon 因其在拓扑量子计算中的潜在应用而备受关注。本工作中，我们研究 FCI 边界及其用于探测 genon 的方式。我们发现平移对称性可强加部分填充陈带中边界电子间的量子化动量差。我们提出利用该动量差选择性接触特定 FCI 边界电子的“层分辨晶格接触”。FCI 边界电子间的相对电流随后可用于探测体 FCI 中 genon 的存在。近期实验已表明石墨烯是研究 FCI 物理的可行平台。我们描述了此处提出的晶格接触如何于人造晶格作用下的石墨烯中实现，从而勾勒出实验探测非阿贝尔拓扑缺陷的前进路径。
引用
@article{arxiv.1810.02325,
title = {Fractional Chern insulator edges and layer-resolved lattice contacts},
author = {Christina Knapp and Eric M. Spanton and Andrea F. Young and Chetan Nayak and Michael P. Zaletel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.02325},
year = {2019}
}
备注
5+7 pages, 10 figures, v2: modified figures