Bernal 堆叠双层石墨烯的四带有效方格模型

Bernal 堆叠双层石墨烯（BLG）为栅极控制且无需刻蚀的电子器件提供了理想的基础。实际器件的理论建模是研究的重要组成部分，然而，大规模 BLG 器件的仿真仍然极具挑战性。微米尺度的系统通常超出了常用原子级紧束缚方法的处理范围，而基于二维 Dirac 方程的其他数值方法由于费米子倍增问题也难以直接进行。在此，我们提出了一种基于连续介质模型的方法，不受费米子倍增问题的影响。对 BLG 连续介质哈密顿量进行离散化，得到一个内置两个能谷的有效四带模型。我们在实际的大规模系统中展示了其性能，并在很宽的磁场范围内获得了与实验和紧束缚模型一致的结果。