复杂氧化物中局域空穴态的形成
材料科学
2009-10-30 v1
摘要
缺陷电子（空穴）在大多数具有技术重要性的复杂氧化物中扮演重要角色；其中许多具有钙钛矿相关结构。在这项贡献中，我们首次详细描述了此类材料中局域空穴态的特征。我们的研究采用了先进的嵌入团簇计算，这些计算一致地包含了电子关联和缺陷诱导的晶格弛豫。这对于解释各种可能的空穴态表现形式是必要的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9702223,
title = {Formation of localized hole states in complex oxides},
author = {H. Donnerberg and S. Toebben and A. Birkholz},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9702223},
year = {2009}
}
备注
6 pages, REVTEX, 3 eps figures