莫特绝缘体中高次谐波生成的 Floquet 动力学平均场理论分析

我们利用 Floquet 动力学平均场理论（DMFT）研究莫特绝缘体中的高次谐波生成（HHG）。我们表明，莫特绝缘体中 HHG 的主要起源是双占据子-空穴复合，且 HHG 谱的特征随场强不同而不同。在较弱场区域，HHG 谱如同气体中的 HHG 一样呈现单一平台，其截止能量 $\epsilon_{\rm cut}$ 随场强 $E_0$ 线性标度为 $\epsilon_{\rm cut}=\Delta_{\rm gap} + \alpha E_0$，其中 $\Delta_{\rm gap}$ 为莫特能隙。另一方面，在较强场区域，出现多个平台，且第 $m$ 个截止能量标度为 $\epsilon_{\rm cut,m}=U + m E_0$。我们表明，这一差异源于弱场与强场区域中双占据子与空穴的不同动力学。我们还评论了莫特绝缘体与半导体中 HHG 的异同。本会议论文补充了我们近期的工作 Phys. Rev. Lett. 121, 057405 (2018)，给出了额外的结果与分析。