莫特绝缘体中的高次谐波产生

利用Floquet动力学平均场理论，我们研究了交流驱动下宽禁带莫特绝缘体时间周期稳态中的高次谐波产生。在强场 regime 下，谐波强度呈现多个平台，其截止能量 $\epsilon_{\rm cut} = U + mE_0$ 随库仑相互作用 $U$ 和最大场强 $E_0$ 标度。在此 regime 下，由于强场作用，产生的双占据子和空穴子局域化，第 $m$ 个平台源于第 $m$ 近邻双占据子-空穴子对的复合。在弱场 regime 下，强度中仅有一个平台，其源于巡游双占据子和空穴子的复合。此处 $\epsilon_{\rm cut} = \Delta_{\rm gap} + \alpha E_0$，其中 $\Delta_{\rm gap}$ 为带隙且 $\alpha>1$。我们证明，即便半导体能带通过杂质散射展宽以模拟莫特绝缘体中的非相干散射，莫特绝缘体仍表现出比具有相同色散的半导体模型更强的谐波强度。