新型钍化合物 Rb2Th7Se15 结构、电子及光学性质的第一性原理研究
材料科学
2014-03-11 v1
摘要
首次在密度泛函理论框架下计算了最近合成的钍化合物 Rb2Th7Se15 的结构、电子和光学性质。计算得到的直接带隙为 1.471 eV（广义梯度近似）和 1.171 eV（局域密度近似），两个结果均接近 1.83 eV 的实验结果。通过计算所有离子的有效 Mulliken 电荷，证明了 Th-Se/Rb-Se 键的高度共价性/离子性。展示了复介电函数的偏振计算结果；在 500 至 2500 nm 的波长范围内，将计算得到的折射率依赖关系拟合到了 Sellmeyer 方程。
引用
@article{arxiv.1310.5210,
title = {First-principles studies of the structural, electronic, and optical properties of a novel thorium compound Rb2Th7Se15},
author = {M. G. Brik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.5210},
year = {2014}
}