CuYS2 半导体结构、电子、光学及弹性性质的第一性原理计算
材料科学
2013-09-13 v1
摘要
本文在密度泛函理论 (DFT) 框架下，利用第一性原理方法研究了三元半导体 CuYS2。计算了该化合物在常压及高静水压下的结构、电子、光学和弹性性质。结果显示，该化合物具有约 1.342/1.389 eV 的间接带隙（分别对应广义梯度近似和局域密度近似）。通过计算不同偏振下的吸收光谱、介电函数和折射率，研究了光学性质的各向异性。通过绘制杨氏模量随晶格方向变化的三维依赖关系，可视化了弹性性质的各向异性。据作者所知，所获结果为首次报道，有助于评估该材料的可能应用。
引用
@article{arxiv.1306.2063,
title = {First-principles calculations of the structural, electronic, optical and elastic properties of the CuYS2 semiconductor},
author = {M. G. Brik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.2063},
year = {2013}
}