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重费米子模型中有限的 f 电子能带宽度

强关联电子 2015-07-03 v2 计算物理

摘要

本文利用行列式量子蒙特卡洛 (DQMC) 方法,研究了二维周期性安德森模型 (PAM) 中局域 f 能带内非零跃迁 tft_f 的效应。我们在固定的 UfU_f 和半填充条件下,确定了能带间杂化 VVtft_f 平面内的低温性质,其中包括 tft_f 符号与导带 tdt_d 相反的情形。当 tft_ftdt_d 同号,且 tf=td>(V/4td)2t_f=t_d > (V/4t_d)^2 时,非相互作用系统呈现金属性。我们表明,在 Uf=0U_f = 0 处存在的带绝缘体至金属转变线的残余效应在相互作用系统中依然持续,表现为低温下反铁磁关联的最大倾向。在此最优 tft_f 区域内,短程(例如近邻)与长程自旋关联在相似温度下发展且具有相当的量级。这两点观测结果与广泛研究的 PAM (tf=0t_f = 0) 及单带 Hubbard 模型形成鲜明对比,后两者中短程关联更强且在更高温度下形成。通过考察选定 tft_f 下局域态密度随 VV 的演化,我们研究了有限 tft_f 对近藤屏蔽 (Kondo screening) 的影响。我们还利用平均场理论作为工具,以甄别那些真正具有多体特征的物理方面。

关键词

引用

@article{arxiv.1310.0372,
  title  = {Finite f-Electron Bandwidth in a Heavy Fermion Model},
  author = {Axel Euverte and Simone Chiesa and Richard T. Scalettar and George G. Batrouni},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1310.0372},
  year   = {2015}
}

备注

8 pages, 7 figures