还原氧化石墨烯原子级薄边缘的场发射
材料科学
2011-03-22 v1
摘要
点源由于尖端处的局域场增强而表现出低阈值电子发射。尖端发射器的发展和应用一直受到以下因素的阻碍：需要将它们间隔足够远以实现场增强，从而限制了发射位点的数量以及总电流。在此，我们报道了从还原氧化石墨烯（rGO）原子级薄边缘发射的多电子束的低阈值场（< 0.1 V/μm）发射。场发射显微镜（FEM）测量显示，来自相距几纳米的发射位点的干涉证据，表明发射的电子束可能是相干的。基于我们的高分辨率透射电子显微镜、红外光谱和模拟结果，rGO 边缘的场发射归因于以环状边缘醚形式存在的氧基团的稳定且独特的聚集。来自 rGO 的这种紧密间隔的电子束为新型应用和理解线性电子源的物理提供了前景。
引用
@article{arxiv.1103.3798,
title = {Field emission from atomically thin edges of reduced graphene oxide},
author = {Hisato Yamaguchi and Katsuhisa Murakami and Goki Eda and Takeshi Fujita and Pengfei Guan and Weichao Wang and Cheng Gong and Julien Boisse and Steve Miller and Muge Acik and Kyeongjae Cho and Yves J. Chabal and Mingwei Chen and Fujio Wakaya and Mikio Takai and Manish Chhowalla},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.3798},
year = {2011}
}
备注
20 pages, 4 figures, Submitted