固体量子发射器耦合声子时，其共振荧光光谱中的Fano型线轮廓
介观与纳米尺度物理
2025-12-23 v1
摘要
我们present了固体量子发射器在弱光激发 regime下的共振荧光(RF)理论。该量子发射器与由超欧米氏谱密度描述的周围bulk半导体中的声子模式耦合。我们表明，该系统的RF光谱由中心弹性线、来自该系统其他线性和非线性光谱的宽广声子侧带，以及特征于散射光谱、源于噪声诱导的暂态动力学的窄非弹性贡献组成。在中等声子耦合或低温下，宽广侧带与非弹性特征之间的相互作用导致共振能量附近出现Fano型线轮廓，Fano参数由激光detuning决定。在弱耦合极限(仅包含单声子过程)下，光谱恰好呈现为Fano型形状，共振光散射被完全抑制。该光谱特征的�幅随温度线性增长，而其宽度仅取决于发射器的自发辐射速率。我们将储备的量子特性与噪声可观测量的非交换性关联，表明Fano共振在经典极限下仍然存在。我们还讨论了在各种激发条件下，光学耦合效率在中心线和侧带之间的重新分配如何影响总散射速率。
引用
@article{arxiv.2512.19435,
title = {Fano profile in the resonance fluorescence spectrum of a solid-state quantum emitter coupled to phonons},
author = {Rafal Bogaczewicz and Pawel Machnikowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.19435},
year = {2025}
}