基于斜入射塔尔博特光刻的三维高深宽比结构制备
光学
2020-12-30 v1 应用物理
摘要
开发适用于高深宽比三维周期性纳米结构的合适生产方法正日益受到关注。对于大规模生产，塔尔博特光刻具有诸多优势。然而，其缺点在于光强分布的最小周期受所用衍射光栅周期的限制。为提高所制备纳米结构的深宽比，本研究聚焦于利用塔尔博特效应产生的衍射波之间的多波干涉。我们提出一种独特的曝光方法，通过控制紫外（UV）光源的入射角来产生相邻衍射级次之间的多波干涉。利用时域有限差分仿真，我们使用一维周期光栅掩模获得了亚波长周期条纹图案。此外，我们通过对毫米尺度区域中深宽比为 30 的亚波长周期结构进行 UV 光刻，展示了该方法的实际应用，表明其适用于大规模生产。
引用
@article{arxiv.2009.11476,
title = {Fabrication of three-dimensional high-aspect-ratio structures by oblique-incidence Talbot lithography},
author = {Ryu Ezaki and Naoki Ura and Tsutomu Uenohara and Yasuhiro Mizutani and Yoshihiko Makiura and Yasuhiro Takaya},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.11476},
year = {2020}
}
备注
11 pages, 8 figures, 3 tables