D=4 Gauss-Bonnet引力中的极值双荷黑洞

我们研究了具有高阶曲率修正（以与膨胀子耦合的Gauss-Bonnet密度形式）的Einstein-Maxwell-dilaton (EMD)理论中的极值双荷黑洞。在没有Gauss-Bonnet项的相同理论中，极值双荷解仅存在于膨胀子耦合常数$a$的离散值处。我们证明，Gauss-Bonnet项起到双荷毛发增强剂的作用，将$a$的允许值扩展到$(a, q_m)$平面中的连续区域，其中第二个参数为磁荷。在曲率耦合趋于零（大磁荷）的极限下，所得双荷解趋于Reissner-Nordström解，而非EMD理论的极值双荷解。两种解具有相同的视界半径作为电荷的函数。新双荷黑洞的熵在大磁荷极限（等价于Gauss-Bonnet耦合为零）下插值于Bekenstein-Hawking值，在磁荷为零时插值于该值的两倍。尽管可以使用纯局域近视界解解析地获得熵的表达式，但将其解释为黑洞熵仅在全局黑洞解已知存在时才合理，我们数值地得到了参数上的相应条件。因此，纯局域分析不足以完全理解曲率修正黑洞的熵。我们还发现了非渐近平坦的双荷解，它们在无穷远处趋近于线性膨胀子背景。这些解描述了电线性膨胀子背景上的磁黑洞。