MgB_2 单晶渗透深度的指数温度依赖性
超导电性
2009-11-07 v2
摘要
通过高分辨率射频技术测量了单晶和多晶 MgB_2 样品的伦敦渗透深度 lambda(T) 的温度依赖性。在低温下观察到 lambda(T) 清晰的指数温度依赖性，这表明存在 s 波配对。对最低温度数据进行 BCS 拟合，得到平面能隙 Delta 为 2.6±0.2 meV (2Delta/T_c=1.5±0.1)，显著小于标准 BCS 弱耦合值 3.5。我们发现数据最适合用双隙模型描述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0110109,
title = {Exponential Temperature Dependence of Penetration Depth in Single Crystal MgB_2},
author = {F. Manzano and A. Carrington and N. E. Hussey and S. Lee and A. Yamamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110109},
year = {2009}
}
备注
Minor corrections added, as per published article