SrPd$_2$Ge$_2$ 超导体单晶的磁穿透深度

利用隧道二极管谐振器，在稀释制冷机中温度低至 T=60 mK 和磁场高达 $H_{dc} = 1$ T 的条件下，测量了 SrPd$_2$Ge$_2$ 超导体单晶的面内磁穿透深度 $\lambda_m(T)$。London穿透深度 $\lambda$ 在 $T\rightarrow 0$ 时呈指数饱和，表明其为全能隙超导电性。使用热力学Rutgers公式估算了 $\lambda(0) = 426$ nm，并用于计算超流密度 $\rho_s(T)=\lambda^2(0)/\lambda^2(T)$。对整个温度范围内 $\rho_s(T)$ 的分析表明，其最佳描述为单能隙行为，可能具有稍强的耦合。在磁场中，测得的穿透深度由Campbell穿透深度给出，并用于计算理论临界电流密度 $j_c$。对于 $H \le 0.45$ T，最强的钉扎并非出现在最低温度，而是出现在某个中间温度，这可能是由于随温度变化的相干长度与相关钉扎特征长度之间的匹配效应所致。最后，我们发现了表面超导电性的有力证据。综合所有测量结果，构建了 SrPd$_2$Ge$_2$ 的完整 $H$-$T$ 相图，估算的 $H_{c2}(0)=0.4817$ T。