电子掺杂氧化物铜系物质中磁渗透深度——间隙节点的证据
超导电性
2009-10-31 v1
摘要
我们使用 11 MHz LC 谐挡器测量了电子掺杂单晶 Nd1.85Ce0.15CuO4-x (NCCO) 和 Pr1.85Ce0.15CuO4-x (PCCO) 的平面渗透深度 \lambda(T)。 在 NCCO 中，\lambda(T) 在 3.8 K 处表现为最小值，随温度降低至 0.4 K 时出现显著上升，这是由于 Nd3+ 离子参数磁性贡献导致的。伦敦渗透深度贡献随 T 线性变化。PCCO 中不存在参数磁性贡献，其中 \lambda(T) 在低温随 T^2 行为变化。我们的结果表明电子掺杂氧化物铜系物质中存在间隙节点，即序参量具有非 s 波对称性。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9912001,
title = {Magnetic penetration depth in electron-doped cuprates - evidence for gap nodes},
author = {R. Prozorov and R. W. Giannetta and P. Fournier and R. L. Greene},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9912001},
year = {2009}
}
备注
2 pages Acrobat-3 optimized PDF. To be presented at M2S-HTSC-VI