Ba$_{1-x}$K$_{x}$Fe$_{2}$As$_{2}$单晶中非指数的伦敦穿透深度
超导电性
2009-07-02 v1 强关联电子
摘要
我们研究了空穴掺杂铁基超导体BaKFeAs( 30K)的面内和面外磁穿透深度。该研究是在从不同助熔剂生长的单晶上进行的,我们发现结果几乎相同。面内伦敦穿透深度在低温下没有表现出指数饱和,而这正是全能隙超导体所预期的。相反,表现出幂律行为,(),直至,与电子掺杂的Ba(FeCo)As类似。穿透深度各向异性在冷却时增加,与上临界场各向异性中观察到的趋势相反。这些是电子和空穴掺杂的122体系的普遍特征,表明非常规超导电性。结合现有针对铁基超导体提出的理论模型,讨论了面内超流密度的行为。
引用
@article{arxiv.0902.1804,
title = {Non-exponential London penetration depth in Ba$_{1-}$K$_{x}$Fe$_{2}$As$_{2}$ single crystals},
author = {C. Martin and R. T. Gordon and M. A. Tanatar and H. Kim and N. Ni and S. L. Bud'ko and P. C. Canfield and H. Luo and H. H. Wen and Z. Wang and A. B. Vorontsov and V. G. Kogan and R. Prozorov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.1804},
year = {2009}
}