LaOs4Sb12的穿透深度研究：多带s波超导电性
超导电性
2015-06-05 v1 强关联电子
摘要
我们利用隧道二极管振荡技术测量了LaOs4Sb12单晶（Tc=0.74 K）在低至85 mK温度下的磁穿透深度λ(T)。观测到的低温指数依赖关系表明存在s波能隙。将低温数据拟合到BCS s波表达式，得到零温能隙值Δ(0)= (1.34 ± 0.07) k_B T_c，该值显著小于BCS值1.76 k_B T_c。此外，归一化超流密度ρ(T)在Tc附近表现出异常长的抑制，并且由双带s波模型拟合最佳。
引用
@article{arxiv.1206.2091,
title = {Penetration depth study of LaOs$_4$Sb$_{12}$: Multiband s-wave superconductivity},
author = {X. Y. Tee and H. G. Luo and T. Xiang and D. Vandervelde and M. B. Salamon and H. Sugawara and H. Sato and C. Panagopoulos and Elbert E. M. Chia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.2091},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 2 figures