电子辐照 Ba1-xKxFe2As2 单晶的伦敦穿透深度

我们利用两种不同的实验技术——磁光测量和微波测量——表征了一块电子辐照的 Ba1-xKxFe2As2（x = 0.53）单晶。该晶体在 2.5 MeV 电子辐照前及辐照后均被测量。辐照后其在 90 °C 至 180 °C 间经多步退火，并在每步退火后测量。大多数微波测量借助铜腔利用 TE011 与 TM110 模式完成，从而可确定伦敦穿透深度变化 ${\delta}{\lambda}_{ab}(T)$ 与 ${\delta}{\lambda}_c(T)$，即垂直于和平行于样品 c 轴的方向。我们推导了基于微扰理论的适当方程，以计算矩形棱柱几何下的穿透深度变化 ${\delta}{\lambda}_{ab}$ 与 ${\delta}{\lambda}_c$。样品显示其 Tc 完全恢复，但观察到的 ${\delta}{\lambda}_c$ 与 ${\delta}{\lambda}_{ab}$ 随退火温度呈非单调行为，在 120 °C 处呈现 ${\delta}{\lambda}_c$ 与 ${\delta}{\lambda}_{ab}$ 的最小值。该发现为磁光测量所证实：除验证样品均匀性及无可见缺陷外，获得了 Ba1-xKxFe2As2 单晶的下临界场 Hc1 并计算出伦敦穿透深度 ${\lambda}_{ab}(0)$。