基于外延剥离法制备的ZnSe基微腔中的激子-光子耦合

我们报道了使用外延剥离法制备的ZnSe基微腔中强激子-光子耦合的观测结果。分子束外延生长的ZnSe/Zn$_{0.9}$Cd$_{0.1}$Se量子阱，在激子发射波长处具有一个波长的光学长度，被转移到反射率为96%的SiO$_2$/Ta$_2$O$_5$镜面上，以形成精细度匹配的微腔。我们对角度分辨透射光谱的分析揭示了强耦合机制的关键特征：在20 K时，法向模式分裂为$23.6 meV$的反交叉；下和上极化激元的复合演化；以及共振附近下极化激元线宽的窄化。还推导出每个量子阱的重空穴激子振荡器强度为$1.78 \times 10^{13} cm^{-2}$。