由杂质驱动的两个导体-绝缘体转变的精确可解模型
统计力学
2009-10-31 v2 无序系统与神经网络
摘要
我们在随机图模型中对两个导体-绝缘体转变进行了精确分析。平均连通性与杂质浓度相关联。大随机图的邻接矩阵被用作跃迁哈密顿量。其谱在零能处有一个δ峰。我们的分析基于对该峰高度的显式表达式，以及对局域化本征矢及其对峰贡献的详细描述。从低连通性（高杂质密度）区域出发，在平均连通度1.421529...处遇到绝缘体-导体转变，在平均连通度3.154985...处遇到导体-绝缘体转变。我们解释了在平均连通度e=2.718281...处的谱奇异性，并将其与随机图论中的另一个枚举问题——最小顶点覆盖问题——联系起来。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0006472,
title = {Exactly solvable model with two conductor-insulator transitions driven by impurities},
author = {M. Bauer and O. Golinelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0006472},
year = {2009}
}
备注
4 pages revtex, 2 fig.eps [v2: new title, changed intro, reorganized text]