双子带系统中 7/2 分数量子霍尔态的演化
介观与纳米尺度物理
2012-03-06 v1
摘要
我们报道了电子占据两个电学子带的宽 GaAs 量子阱中，偶分母填充因子处的分数量子霍尔态 (FQHS) 的演化。数据揭示了该状态随密度、磁场倾斜角或电荷分布对称性变化而表现出的微妙且独特的演化规律。当电荷分布高度不对称时，在属于两个子带的两个朗道能级于费米能级处交叉时，附近的电阻极小值表现出显著的持久性。该极小值的磁场位置追踪对称子带的 5/2 填充，表明交叉能级被钉扎，并且即使反对称能级部分填充，对称子带中也在 developing 5/2 FQHS。
引用
@article{arxiv.1109.1491,
title = {Evolution of the 7/2 fractional quantum Hall state in two-subband systems},
author = {Yang Liu and J. Shabani and D. Kamburov and M. Shayegan and L. N. Pfeiffer and K. W. West and K. W. Baldwin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.1491},
year = {2012}
}