q/3分数量子霍尔态何时稳定？
强关联电子
2012-03-06 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
在一个宽GaAs量子阱中，我们可以将费米能级(E_F)调谐到两个占据电子的子带的不同朗道能级上，进行的磁输运测量揭示了ν = 10/3、11/3、13/3、14/3、16/3和17/3处分数量子霍尔态出现和消失的显著模式。数据直接证明，只要E_F位于两个电子子带中任一个的基态(N=0)朗道能级上，无论该能级属于对称子带还是反对称子带，q/3态即使在如此高的填充数下也是稳定且强的。显然，反对称子带在面外方向的节点不会使q/3分数量子态失稳。另一方面，当E_F位于任一子带的激发态(N>0)朗道能级上时，面内方向的波函数节点会削弱或完全使q/3分数量子霍尔态失稳。我们的数据还表明，在属于两个子带的两个朗道能级交叉点附近，特别是当能级具有平行自旋时，q/3态保持稳定。
引用
@article{arxiv.1102.0070,
title = {When are the $q/3$ fractional quantum Hall states stable?},
author = {Yang Liu and Javad Shabani and Mansour Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.0070},
year = {2012}
}