在 GaAs 中观察到 $\nu=1/2$ 处的 e/4 电荷

分母为偶数的分数量子霍尔态 (FQHS) 超出标准拉格朗日和 Jain 奇分母层级。在本工作中，我们研究了最低 Landau 能级下的 FQHS $\nu=1/2$。该态 confined within a 70 nm 宽的 GaAs 量子井中，电子呈类似双层的电荷分布。层间相互作用稳定了 $\nu=1/2$ FQHS，预计其将宿主携带 e/4 电荷的准粒子——可能具有阿贝尔或非阿贝尔 拓扑秩序。本文报告了在 $\nu=1/2$ 处对分区准粒子的散粒噪声测量，电荷分区通过一种独特的刻蚀定义量子点接触器实现。我们在两个名义上相同的器件上进行了测量，分别在两个独立的实验 setup 中进行。对每个器件在弱背散射 regime 中的散粒噪声分析揭示了 e/4 电荷的准粒子。这些观察结果为未来研究 $\nu=1/2$ FQHS 及其准粒子交换统计提供了明确的基准。