Sm$_{1-x}$Th$_x$OFeAs中多重玻色子发射的证据

我们研究了在具有不同钍浓度($x = 0.08 - 0.3$)和临界温度$T_c = 26-50$\,K的Sm$_{1-x}$Th$_x$OFeAs超导体中Andreev阵列的动态电导谱里观测到的可复现精细结构。该结构明确由多重Andreev反射过程中(同能量的)多重玻色子发射所致。对于最优组分，直接确定的玻色子模能量达到$\varepsilon_0 = 14.8 \pm 2.2$\,meV。在所研究的$T_c$范围内，该能量以及大$\Delta_L$与小$\Delta_S$超导能隙均近似随临界温度标度，其特征比值$\varepsilon_0/k_BT_c \approx 3.2$(相应地为$2\Delta_L/k_BT_c \approx 5.3$)，分别类似于$s^{\pm}$与$s^{++}$态中自旋共振的预期能量$\Delta_L + \Delta_S$及谱密度增强。