多重点Andreev反射谱学研究Th替代Sm$_{1-x}$Th$_x$OFeAs中超导能隙的演化

利用内禀多重点Andreev反射效应（IMARE）谱学，我们研究了具有不同钍掺杂量和临界温度$T_C = 21-54$ K的层状氧磷族元素超导体Sm$_{1-x}$Th$_x$OFeAs中的SnS接触。我们观察到两个超导能隙与$T_C$之间的标度关系。所确定的大能隙的BCS比$2\Delta_L/k_BT_C = 5.0-5.7$及其本征BCS比（在零带间耦合的假设情况下）$2\Delta_L/k_BT_C^L = 4.1-4.6$均超过弱耦合极限3.52，而小能隙的$2\Delta_S/k_BT_C = 1.2-1.6$在整个研究的$T_C$范围内几乎保持恒定。温度依赖关系$\Delta_{L,S}(T)$与双带类BCS的Moskalenko和Suhl模型吻合良好。我们证明了带内耦合强于带间耦合，而库仑排斥常数$\mu^{\ast}$在Sm基氧磷族元素中是有限的。