层状Th掺杂Sm$_{1-x}$Th$_x$OFeAs中的本征多重Andreev反射
超导电性
2016-03-01 v1
摘要
层状氧砷化物SmThOFeAs (Sm-1111)是通过本征多重Andreev反射效应(IMARE)谱进行探测的理想候选材料。利用经典的"break-junction"技术，我们构建了由全同S--n--S接触组成的弹道Andreev阵列，其中为超导体，为正常金属层。对于，I(V)曲线显示出过剩电流和次谐波能隙结构(SGS)：一组尖锐的dI(V)/dV谷，其位置取决于超导能隙值、阵列中结的数量以及自然次谐波阶数，从而证明了本征多重Andreev反射效应。本文给出了在临界温度\,K的最优掺杂Sm-1111以及\,K的欠掺杂样品中形成的Andreev阵列的I(V)和dI(V)/dV曲线，其中最多出现4个SGS谷。我们表明，多个Andreev次谐波有助于更准确地确定超导能隙。
引用
@article{arxiv.1512.01061,
title = {Intrinsic Multiple Andreev Reflections in layered Th-doped Sm$_{1-x}$Th$_x$OFeAs},
author = {T. E. Kuzmicheva and S. A. Kuzmichev and S. N. Tchesnokov and N. D. Zhigadlo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.01061},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 4 figures, accepted to J. Supercond. Novel Magn