吸引 Hubbard 模型中临界温度以上赝隙的证据

我们在自洽 T-矩阵形式框架内探讨了二维负 U Hubbard 模型中 $T \geq T_c$ 时的涨落效应，该形式超越了 BCS 近似并包含了对涨落。我们进入了关联重要的区域，即 $U/t = -4.0$，其中 $t$ 表示最近邻跳跃矩阵元，$U$ 是格点相互作用的强度。我们的结果包括：1) 与自由情况相比，分布函数 $n({\bf k})$ 显示出显著的重新归一化。这一事实使我们得出结论，关联电子系统的费米面是模糊的；2) 在化学势 $\mu$ 附近的态密度 $N(\omega)$ 中存在赝隙；3) T-矩阵在零频率和零动量下的实部对 $T/t$ 的依赖在特定温度下显示出发散。最后这一结果表明，更近似的 T-矩阵计算扩展到 $T~=~0$ 是没有意义的。