低温下高定向热解石墨表面 C$_{60}$ 的外延生长研究
介观与纳米尺度物理
2019-11-25 v1
摘要
与其他导电表面相比，石墨表面与分子的相互作用较弱，从而使分子-分子相互作用占据主导。高定向热解石墨上的 C 是研究表面分子自组装的模型体系。我们在液氮温度下的扫描隧道显微镜测量证实了先前观察到的岛状生长模式。我们的结果表明，分子岛与衬底之间存在外延关系，且岛具有三种可能取向。针对其中一种取向，我们通过详细分析一幅跨越 C 岛台阶边缘的图像确定了此外延关系。在该图像中，我们同时获得了分子岛与衬底的高分辨率。该分析结果经二维傅里叶分析得以确认。
引用
@article{arxiv.1911.10048,
title = {Epitaxial growth of C$_{60}$ on highly oriented pyrolytic graphite surfaces studied at low temperatures},
author = {E. Seydel and R. Hoffmann-Vogel and M. Marz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.10048},
year = {2019}
}