反铁磁莫特绝缘体 CeOI 的外延生长与能带结构
材料科学
2020-05-12 v1
摘要
通过 DFT+U 计算预测范德瓦耳斯材料 CeOI 是一种层状反铁磁莫特绝缘体。我们利用分子束外延在 graphene/6H-SiC(0001) 衬底上成功生长出低至单层的 CeOI 薄膜。通过原位扫描隧道显微镜和谱学对薄膜进行研究，显示其带隙为 4.4 eV。也存在一种成分未确定的金属相。这种稀土氧卤化物为二维磁性材料增添了新成员。
引用
@article{arxiv.2005.04359,
title = {Epitaxial Growth and Band Structure of Antiferromagnetic Mott Insulator CeOI},
author = {Xinqiang Cai and Zhilin Xu and Hui Zhou and Jun Ren and Na Li and Sheng Meng and Shuai-Hua Ji and Xi Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.04359},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 6 figures