揭示退火过程中非晶硅自扩散的原子机制
材料科学
2015-05-20 v1
摘要
我们利用紧束缚分子动力学模拟分析了退火过程中非晶硅自扩散背后的原子重排。使用了两种具有不同结构特征的非晶样品来分析配位缺陷的影响。我们识别了几种类型的原子重排机制，并获得了约 1 eV 的有效迁移能。我们发现两种样品的迁移能相似，但初始配位缺陷百分比较高的样品具有更高的扩散率。
引用
@article{arxiv.1101.0065,
title = {Enlightening the atomistic mechanisms driving self-diffusion of amorphous Si during annealing},
author = {Iván Santos and Luis A. Marqués and Lourdes Pelaz and Luciano Colombo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.0065},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 4 figures