圆偏振光辐照下 hBN 上石墨烯的增强谷极化
介观与纳米尺度物理
2022-08-11 v1 材料科学
摘要
由于两种材料之间的晶格失配，hBN 上的石墨烯（G/hBN）具有长周期 moiré 超结构。由 moiré 超结构引起的长周期势调制了系统的电子性质。在本文中，我们数值计算了圆偏振光辐照下 G/hBN 的光电导率。G/hBN 中空间反演对称性的缺失诱导了谷极化。此外，对于非掺杂情形，若两材料间扭转角接近零，谷极化在红外与太赫兹区域最为显著，而对于空穴掺杂情形则对扭转角不敏感。这些结果将有助于设计使用 G/hBN 的谷电子学器件。
引用
@article{arxiv.2207.14399,
title = {Enhanced valley polarization of graphene on hBN under circularly polarized light irradiation},
author = {Keisuke Nakagahara and Katsunori Wakabayashi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.14399},
year = {2022}
}
备注
7 pages, 4 figures