通过六甲基二硅氮烷（HMDS）封装提升 MoS$_2$/SiO$_2$ 场效应晶体管的性能
材料科学
2024-03-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
提升基于二维材料的场效应晶体管（FET）性能和稳定性的可扩展方法对其真实应用至关重要。本文探索了一种可扩展的方法，即通过六甲基二硅氮烷（HMDS）封装 SiO/Si 衬底上的剥离 MoS，以减少界面陷阱和环境污染物的影响。这导致陷阱密度降低了二十五倍，亚阈值摆幅降低了三倍，峰值场效应迁移率提高了三倍，并且迟滞显著减少。在设备暴露于环境数周后，该性能几乎保持不变。这归因于 HMDS 的超疏水特性，以及通过 HMDS 的甲基与 SiO 的硅烷醇基之间形成共价键实现的 SiO 表面疏水化。
引用
@article{arxiv.2403.05885,
title = {Enhanced performance of MoS$_2$/SiO$_2$ field-effect transistors by hexamethyldisilazane (HMDS) encapsulation},
author = {Santu Prasad Jana and Shivangi and Suraina Gupta and Anjan K. Gupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.05885},
year = {2024}
}
备注
5 pages, 5 figures