在准晶中构建非厄米二阶拓扑绝缘体
介观与纳米尺度物理
2025-04-08 v1
摘要
非厄米拓扑相因其超越厄米界限揭示新颖特性的潜力而备受关注。PT 对称（宇称-时间反演对称）非厄米模型在过去十年中被广泛研究。近年来，无论增益与损耗是否平衡，一般非厄米模型的拓扑性质也引起了巨大关注。在此我们提出一种非厄米二阶拓扑（SOT）绝缘体，其在二维准晶格（QL）上承载无隙角态。我们首先在由 Amman-Beenker（AB）拼砌生成的 QL 上构建 Bernevig-Hughes-Zhang（BHZ）模型的非厄米扩展。该模型具有实谱并支持螺旋边缘态。通过添加适当的 Wilson 质量项使边缘态打开能隙，从而出现角态。我们提出质量项的两种变体，产生引人入胜的特征。在第一种变体中，我们得到二阶拓扑相的纯实谱。在第二种中，我们得到复谱且角态仅局域于两个角。我们的发现为构建奇异 SOT 相开辟了路径，其中角态可局域于指定角。
引用
@article{arxiv.2307.03178,
title = {Engineering non-Hermitian Second Order Topological Insulator in Quasicrystals},
author = {Chakradhar Rangi and Ka-Ming Tam and Juana Moreno},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.03178},
year = {2025}
}