通过锌修饰在锡烯中构建理想螺旋拓扑网络
介观与纳米尺度物理
2022-03-30 v1 材料科学
摘要
拓扑绝缘体xene家族在许多拓扑电子、自旋电子和谷电子器件方案中扮演关键角色。这些方案依赖于施加局域扰动（包括电场和邻近磁性）以在xene中诱导拓扑相变。然而，这些技术缺乏对拓扑区域间界面几何的控制，而这是拓扑器件工程的关键方面。我们提出吸附原子修饰作为在xene中工程化原子级精确拓扑边缘模的方法。我们的第一性原理计算表明，仅在两个子晶格之一上用Zn吸附原子修饰锡烯，会诱导从量子自旋霍尔（QSH）到量子谷霍尔（QVH）相的拓扑相变，并确认在QSH/QVH界面存在自旋-谷极化边缘模传播。最后我们讨论了这些边缘模的技术应用，其得益于近期吸附原子操纵技术所实现的原子级精度。
引用
@article{arxiv.2203.15800,
title = {Engineering ideal helical topological networks in stanene via Zn decoration},
author = {Jennifer Coulter and Mark R. Hirsbrunner and Oleg Dubinkin and Taylor L. Hughes and Boris Kozinsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.15800},
year = {2022}
}