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Nb3Cl8 中对称性破缺与平带绝缘态的密度泛函理论研究

材料科学 2024-08-02 v1 强关联电子

摘要

常规能带结构计算常常错误地将量子材料预测为金属而非绝缘体,这促使人们引入 Mott-Hubbard 强电子关联作为能隙产生机制。最近的研究表明,在常规能带理论中允许形成局域结构对称性破缺基序,可以在观测到绝缘能隙时降低总能并预测绝缘能隙。然而,最近指出了一个重要的反例:Nb3Cl8 中由对称性破缺形成的平带本身是部分占据的,因此无法解释观测到的绝缘态。本文表明,一种涉及协同结构效应和磁效应的广义对称性破缺,可以在平均场近似的密度泛函理论中产生能量降低的绝缘相。

关键词

引用

@article{arxiv.2408.00145,
  title  = {Energy-lowering symmetry breaking creates a flat-band insulator in paramagnetic Nb3Cl8},
  author = {Jia-Xin Xiong and Xiuwen Zhang and Alex Zunger},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2408.00145},
  year   = {2024}
}

备注

3 figures