通过合成自旋工程涌现的二重非厄米谱拓扑

拓扑与非厄米性的结合已揭示诸多引人入胜的现象。我们引入一个属于 AI 对称类的合成自旋工程模型，此类情况十分罕见，并展示了多重谱拓扑的涌现。作为我们方案的示例，我们在范式性的 Su-Schrieffer-Heeger（SSH）模型中通过引入广义合成自旋来构造非厄米性，导致涌现的二重谱拓扑支配相应非厄米趋肤效应的解耦行为。作为自旋选择的后果，我们的模型展现出由不同拓扑相构成的丰富相图，我们通过引入配对卷绕数的概念来刻画，其进而预测开放边界下趋肤局域化的方向。我们证明自旋参数的选择能够控制趋肤效应的方向性，使其可为单侧或双侧。此外，我们在固有 SSH 模型框架内发现由自旋工程方法产生的非色散平带。我们还引入一个简化玩具模型以捕捉涌现平带与方向选择性趋肤效应的潜在物理。作为实验可行性的说明，我们提出一个精确模拟底层自旋工程哈密顿量的拓扑电路，为实现我们所预测效应提供可行平台。我们的发现为通过自旋设计模型探索非常规谱拓扑铺平道路。