MoS2、MoSe2 与 MoTe2 材料的静电屏蔽效应与结合能位移
材料科学
2023-09-12 v4 计算物理
摘要
本文研究了 MoS2、MoSe2 和 MoTe2 的电子结构与键性质。采用密度泛函理论（DFT）计算并结合结合能与键电荷（BBC）模型，以获得电子结构、结合能位移与键性质。研究发现，电子交换引起的静电屏蔽是密度涨落的主要原因。建立了一种带能级位移的格林函数密度计算方法。这为进一步研究纳米材料的结合能、键态与电子性质提供了新方法与新思路。
引用
@article{arxiv.2307.08035,
title = {Electrostatic shielding effect and Binding energy shift of MoS2, MoSe2 and MoTe2 materials},
author = {Yaorui Tan and Maolin Bo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.08035},
year = {2023}
}